半導體激光器是用半導體材料作為工作物質(zhì)的一種激光器，因為物質(zhì)結(jié)構(gòu)上的特殊性質(zhì)，合得半導體激光也有著與一般激光（如二氧化碳激光）不一樣的特點。基于這種技術(shù)的半導體激光打標機體積小，壽命長，工作頻率高，可調(diào)制出高速的激光輸出，在多個領(lǐng)域得到廣泛應用。但是半導體激光的高端核心技術(shù)一直以為為外國先進企業(yè)所掌握，國內(nèi)相關(guān)的器件不得不長期依賴于進口。

民用激光顯示技術(shù)能夠完美地再現(xiàn)自然色彩，是繼黑白顯示、彩色顯示、數(shù)字顯示之后的第四代顯示技術(shù)。未來3至5年，將是全球激光顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵時期。為打破關(guān)鍵技術(shù)的“封鎖”，我國把“新一代激光顯示技術(shù)工程化開發(fā)”列為863計劃重點項目，其中的“高可靠性、低成本半導體激光器材料與器件工程化開發(fā)”課題是重中之重。

        如何擺脫半導體激光器件的的囧迫局面，是我國激光技術(shù)發(fā)展必須面對的關(guān)鍵性問題，只有擺脫技術(shù)上的束縛，才能更好更快的發(fā)展。

    國內(nèi)擁有從激光器材料生產(chǎn)到器件制作的完整生產(chǎn)線的高新技術(shù)企業(yè)，為推進課題進展，組建由研究員、高級工程師和博士、碩士等高學術(shù)、高技術(shù)的研發(fā)團隊，借助現(xiàn)有的高級半導體激光器技術(shù)實驗室等科研平臺，開展技術(shù)攻關(guān)。在此期間，成功實現(xiàn)了三大關(guān)鍵技術(shù)突破：一是TM偏振808nm半導體激光器外延材料與芯片研制。二是635nm激光器外延材料與芯片研制。三是模組封裝及集成技術(shù)。目前，我國已成功研制出滿足激光顯示工程化要求的高可靠性、低成本半導體激光器件，并已經(jīng)初步實現(xiàn)了規(guī)模化的生產(chǎn)。從目前進度上看，國內(nèi)企業(yè)有望提前全面完成項目預定任務，并能實現(xiàn)批量提供民用激光顯示用激光光源的目標，實現(xiàn)了“替代進口產(chǎn)品、實現(xiàn)激光器顯示用核心元器件國產(chǎn)化”的夢想。

     當今世界，任何一個行業(yè)領(lǐng)域都是技術(shù)為先，專利領(lǐng)航的，只有真正擁有了所在行業(yè)的關(guān)鍵性核心技術(shù)，才能在所屬領(lǐng)域把握話語權(quán)，主導未來發(fā)展方向。半導體激光器技術(shù)的推進掌握力度，讓我們看到了國內(nèi)激光設備行業(yè)的決心，這也將是所有從業(yè)者的一大信心源泉。